氮化硼陶瓷通过热压制成。这种工艺利用高达2000°C (3632°F)的温度和高压有道氮化硼粉末烧结成为一个大的紧实块体，称作坯料。这些氮化硼坯可以轻易地被加工成型并且精密加工成复杂地形状和光滑地表面。不用青料烧结，研磨，抛光地易加工性使得许多高级工程领域的原型制作，设计更改和认证周期都更加容易和快速。除了许多高级陶瓷所共有的热机械和电气特性外，BN 在等离子体环境中的独特之处在于，即使在存在强电磁场的情况下，它还是对溅射的抵抗力和低二次离子生成倾向。抗溅射有助于延长组件的使用寿命，而低二次离子生成有助于保持等离子体环境的完整性。
它已被作为高级绝缘体用于各种薄膜涂层工艺，如等离子体增强的物理气相沉积 （PVD）。氮化硼陶瓷还用于提高轨道卫星上霍尔效应推进器的性能和服务长度。
氮化硼陶瓷用于物理气相沉积
物理气相沉积是指用于各种材料的表面工程的多种真空薄膜涂层方法。PVD 涂层方法采用多种方法之一，将目标材料生成并沉积到基板表面，包括溅射沉积，PVD 涂层方法通常用于光电子器件的制造、汽车和航空航天的精密部件等。
溅射是一个独特的过程，通过持续的等离子轰击，粒子被强行从目标材料中喷出。氮化硼陶瓷广泛用于将溅射室中的等离子弧约束到目标材料上，并防止工艺室中整体部件的侵蚀。
圣戈班氮化硼提供几个Combat®可加工陶瓷的型号可用于PVD组件。AX05、HP 和 ZSBN 级通常用于制造用于 PVD 等离子室的电弧护罩和导轨、目标框架、屏蔽和衬垫。
氮化硼陶瓷用于霍尔推进器
霍尔效应推进器使用等离子体作为轨道卫星和深空探测器的推进方法。这种等离子体是由推进剂气体的电离产生的，推进剂气体通过高性能陶瓷通道内的强烈径向磁场。应用的电场轴向加速等离子体并通过放电通道，达到每小时数万英里的潜在出口速度。这种先进技术的挑战是陶瓷放电通道屈服于过早的等离子体侵蚀。
氮化硼陶瓷已成功用于延长霍尔效应等离子推进器的使用寿命，同时不限制其电离效率，也不限制其推进能力。Combat®可加工陶瓷级 AX05、HP 和 M26 已通过卫星专家成功测试，并应用于世界各地的霍尔效应等离子室。
来自于圣戈班的氮化硼陶瓷
圣戈班氮化硼事业部专精于提升氮化硼陶瓷和粉末的性能来满足全世界各种先进工业部门对于陶瓷性能的高级别要求。
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